當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > > CMP 晶圓減薄拋光 > 7AF-HMG SiC研磨機
簡要描述:7AF-HMG研磨機具有實時過程監(jiān)控及雙探頭監(jiān)測功能,研磨SiC會產(chǎn)生熱量,從而導(dǎo)致研磨機熱膨脹,使用單個探針,研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準確,通常會導(dǎo)致研磨不足,使用雙探針可防止研磨不足,一個探針參考晶圓,另一個探針則參考工作卡盤,這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
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7AF-HMG研磨機特點:
雙探頭檢測:
研磨SiC會產(chǎn)生熱量,從而導(dǎo)致研磨機熱膨脹,使用單個探針,研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準確,通常會導(dǎo)致研磨不足,使用雙探針可防止研磨不足,一個探針參考晶圓,另一個探針則參考工作卡盤,這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差
實時過程監(jiān)控:
應(yīng)用:
基質(zhì)研磨
·在晶圓制造過程的早期發(fā)生,
·用線鋸或K-cut切割
·漿料去除通常在10微米
·后續(xù)晶圓制造操作為表面
·用6EZ拋光
背面研磨
·在晶圓的一側(cè)制造器件后發(fā)生
·起始面通常具有較低的TTV
·漿料去除通常在100微米
其他應(yīng)用程序
·線鋸基材的背面減薄和整體減薄
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